Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

30. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

τ_эфф

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа